La ciramica di carburu di silicuni (SiC) àvi carattirìstichi eccizziunali comu la forti risistenza di l'ossidazzioni, la risistenza a l'usura bona, la durizza auta, la bona stabbilità termica, la risistenza a timpiratura auta, lu cufficenti di spanziuni tèrmica, l'auta cunnuttività tèrmica, la risistenza termica di shock termici e la risistenza â curruzzioni chìmica {U}}} Pi chissu, havi già jucatu nu rolu mpurtanti 'n pitroliu, nnustria chimica, màchini, ariuspazziu, enirgìa nucliari e autri campi, ed è sempri cchiù apprizzatu di genti. pi asempiu, la ciramica SiC pò èssiri usata comu vari cuscinetti, pallini, ucchiali, sicchi, strumenti di tagghiu, lami di turbini a gas, ruturi di turbocarica, schermi riflittivi e rivestimenti di càmmiri di cummustioni dî razzi .
Li prupità eccizziunali dâ ciramica SiC su' strittamenti liati ê so strutturi unichi{0}} SiC è un cumpostu cu nu ligami cuvalenti forti, e la joinicità dû ligami Si-C ntà SiC è sulu circa lu 12%{3}. Pirciò, SiC àvi na risistenza auta, mòdulu elàsticu granni e risistenza di usura eccizziunali. siC nun è eruduta di suluzzioni àciti comu HCl, HCl, HNO3, H2SO4 e Li suluzzioni HF e alcalini comu NaOH{8}} Ossidazzioni è fàcili di virificarisi quannu si caudi nta l'aria, ma SiO2 furmatu ncapu la supirfici inibbisci l'ultiriori diffusioni di l'ossìgginu duranti l'ossidazzioni, adunca la prubabbilità di ossidazzioni nun è auta. ‘n termini di prupità elèttrichi, lu SiC è semicunnutturi, e la ntruduzzioni di na quantità nica di mpurità mustrarà na bona cunnuttività bona. Ô cuntrariu, lu SiC àvi termici eccellenti Cunnunziunazzioni .
SiC e Dui furmi di cristallu. : La struttura di cristallu di SiC è sistema cùbbicu, e la furma di SiC Si e C furmanu rispittivamenti la griglia cùbbica cintrata; － There are more than 100 polytypes of SiC, such as 4H, 15R and 6H, among which 6H polytype is the most common one in industrial application. There is a certain thermal stability relationship between various forms of SiC. When the temperature is lower than 1600℃, SiC － SiC exists. When the temperature is higher than 1600℃, Um SiC si trasforma lentamenti 'n Ùniru . vari pulitipi di SiC{11}} siC è fàcili furmari a circa 2000 gradi ; Sia li pulitipi 15R ca 6H su' fàcili di furmari a timpiratura auta supra 2100 gradi ; Pi 6H SiC, è assai stàbbili puru si la timpiratura supira li 2200 gradi . La diffirenza ntra l'enirgìi lìbbiri di vari politipi ntô SiC è assai nicu. Pirtantu, la suluzzioni sòlida di mpurità pruvucarà macari canciamenti nnâ rilazziuni di stabbilità termica ntra li pulitipi .
